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250 名工程师耗时 6 个月安装,英特尔展示 ASML 首台 High-NA EUV 光刻机交付过程
High-NA 光刻导致单芯片最大面积减半,imec、英特尔各想办法
ASML 高数值孔径 High NA EUV 光刻机实现“初次曝光”,助英特尔开启工艺进化
光刻技术进化,ASML 探索 Hyper-NA EUV:2030 推进至 0.7nm 工艺
ASML 价值 3.5 亿欧元的 High-NA EUV 光刻机已获得 10~20 个订单,预计到 2028 年可将年产量提高到 20 台
ASML 展示价值 3.5 亿欧元的 High-NA EUV 光刻机,重达 15 万公斤
ASML 首席财务官 Dassen 回击质疑:High-NA EUV 光刻仍是未来最经济选择,相关订单稳步增加
英特尔 CEO 基辛格:不会放弃使用外部代工,High-NA EUV 将于下一个“Major”节点导入
英特尔率先拥抱 High-NA EUV 光刻机,台积电持观望态度
消息称 ASML 明年推出用于 2nm 芯片制造的高 NA 光刻机,英特尔已采购 6 台
IBM、美光、应用材料、东京电子宣布合作建设 High-NA EUV 研发中心
ASML 和 IMEC 宣布共同开发 high-NA EUV 光刻试验线
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