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新一代移动端 DRAM 内存规范 LPDDR6 有望今年 3 季度公布
控制产量效益显现,2023Q4 DRAM 产值 174.6 亿美元:环比增加 29.6%
美光计划部署纳米印刷技术,降低 DRAM 芯片生产成本
三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存
消息称 SK 海力士今年将增 8 台 EUV 光刻机,推动 DRAM 内存产品技术演进
三星电子在硅谷设立新实验室,负责下一代 3D DRAM 内存研发
消息称长鑫存储开始量产 18.5 纳米 DRAM,初期月产 10 万片晶圆
TrendForce 预测 DRAM 与 NAND Flash 今年一季度涨价 18%
消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM,达到 10nm 工艺级别
三星研发全新内存技术 LLW DRAM,拥有超高带宽、低延迟、低功耗
消息称三星和美光第 1 季度 DRAM 价格已上调 15%-20%
佰维面向服务器内存扩展推出 CXL 2.0 DRAM,赋能 AI 高性能计算
DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
消息称 SK 海力士与三星电子 DRAM 市场份额差距已缩小至 4.4%
三季度全球 DRAM 销售额达 132.4 亿美元,连续两个季度环比增长
大厂减产保价策略奏效,DRAM / NAND 存储芯片 Q4 合约价优于预期
国内首家:长鑫存储推出 LPDDR5 DRAM 存储芯片
SK 海力士 DRAM 市场占用率已达 35%,为该公司有史以来最高水平
消息称带有定制 DRAM 的 R1 芯片使苹果 Vision Pro 头显性能提高了一倍
三星电子 DRAM 内存和代工部门业绩低迷,负责人双双被换
SK 海力士完成 1b DRAM 内存研发并携手英特尔验证,今年量产
不改变工艺让芯片面积减少 30%,三星组建团队开发 4F Square DRAM
TrendForce:全球 DRAM 产业 Q1 营收环比下降 21.2%,连续三个季度衰退
功耗降低 23%、量产率提高 20%,三星开始量产 12 纳米 DDR5 DRAM
三星申请“Shinebolt”和“Flamebolt”商标,为 AI 超级计算机研发专用 DRAM
三星电子研发出其首款支持 CXL 2.0 的 CXL DRAM
TrendForce 集邦咨询预测 2023Q2 DRAM 价格跌幅扩大至 18%,NAND 扩大至 13%
减产的存储厂商们,何时能触底反弹?
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