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ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装
三星与应用材料合作,减少 4nm 工艺中 EUV 光刻使用
250 名工程师耗时 6 个月安装,英特尔展示 ASML 首台 High-NA EUV 光刻机交付过程
ASML 高数值孔径 High NA EUV 光刻机实现“初次曝光”,助英特尔开启工艺进化
消息称 SK 海力士今年将增 8 台 EUV 光刻机,推动 DRAM 内存产品技术演进
光刻技术进化,ASML 探索 Hyper-NA EUV:2030 推进至 0.7nm 工艺
ASML 价值 3.5 亿欧元的 High-NA EUV 光刻机已获得 10~20 个订单,预计到 2028 年可将年产量提高到 20 台
ASML 展示价值 3.5 亿欧元的 High-NA EUV 光刻机,重达 15 万公斤
可减少昂贵 EUV 光刻使用,德国默克称 DSA 自组装技术十年内商用
1c 纳米世代内存竞争:三星计划增加 EUV 使用,美光将引入钼、钌材料
ASML 首席财务官 Dassen 回击质疑:High-NA EUV 光刻仍是未来最经济选择,相关订单稳步增加
英特尔 CEO 基辛格:不会放弃使用外部代工,High-NA EUV 将于下一个“Major”节点导入
无需 EUV 光刻机和先进制程,我国推进硅光子新赛道:2030 全球产值预估达 61 亿美元
英特尔率先拥抱 High-NA EUV 光刻机,台积电持观望态度
IBM、美光、应用材料、东京电子宣布合作建设 High-NA EUV 研发中心
消息称三星将投资 10 万亿韩元用于半导体设备,大量采购 ASML EUV 光刻机
佳能押注“纳米压印”技术,价格比 ASML EUV 光刻机“少一位数”
ASML 和 IMEC 宣布共同开发 high-NA EUV 光刻试验线
消息称三星半导体将减少 10% 晶圆投片量,EUV 产线成重灾区
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