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群联 CEO 潘建成警告 SSD 价格飞涨导致需求下降,阻碍 NAND 闪存行业发展
跟随铠侠增产步伐,消息称三星电子调升西安厂 NAND 闪存开工率至 70%
2023Q4 NAND 闪存行业产值环比增长 24.5%:三星增长 44.8% 居首位
西部数据发布公告:今年年底前完成闪存和硬盘业务分拆
铠侠提升 NAND 闪存产能利用率,群联 CEO 潘建成乐见原厂增产
AI 热潮下企业固态硬盘需求退居二线,三星维持 NAND 闪存减产 50% 策略不变
科技昨夜今晨 0221:淘宝回应开放微信支付:目前仅部分用户和订单开放,后续将全面覆盖;小米 14 Ultra 手机蓝色陶瓷版曝光;华为发布 eKitStor Xtreme 系列 M.2 闪存条
铠侠西数计划大规模生产 218 层 NAND 闪存,投资总额达 7290 亿日元
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存,速率可达 3.2GB/s
瑞萨推出其首款集成闪存的双核低功耗蓝牙 SoC,用于众包定位等
强震重创日本西海岸,东芝 NAND 闪存工厂暂时停产
Gartner:华为全闪存 Q3 首次超越戴尔拿下全球第一
西安三星半导体 12 英寸闪存芯片扩建项目取得新进展,项目正式进入主体施工阶段
佰维存储晶圆级先进封测制造项目落地东莞松山湖,已推出 UFS 3.1 闪存
业界首款,华为推出面向中小企业的全闪存 NAS 存储 OceanStor Dorado 2100
华为发布两款全闪存新品,推进全场景闪存化
日本铠侠 Q2 亏损 1008 亿日元,称 NAND 闪存销售价格已触底
中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光专利侵权,涉 8 项专利
西部数据宣布将剥离闪存业务,2024 年下半年实施
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,号称层数业内最多
三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,号称层数业内最多
全球首个! 华为全闪存存储获 DEKRA 德凯存储产品碳足迹和碳标签证书
读速达 2100MB/s,国产佰维存储推出旗舰手机 UFS 3.1 闪存
消息称西部数据将剥离闪存业务并将其与铠侠合并
美光科技第三财季财报超预期:受益于生成式人工智能浪潮
华为闪存存储全新解决方案亮相 2023 创新数据基础设施论坛
400 层堆叠 3D NAND 闪存将至,东京电子宣布开发出全新蚀刻技术
存储主控赛道究竟有何魅力?听听“黑马”英韧科技怎么说
TrendForce:一季度全球 NAND 闪存销售下滑 16%,厂商继续减产应对库存压力
华为推出首款入门级商用闪存系统 OceanStor Dorado 2000
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